<sup>11</sup>B sous forme de trifluorure de bore gazeux

11B sous forme de trifluorure de bore gazeux

Isotopes du bore

Le trifluorure de bore gazeux est le dopant idéal pour les plaquettes de silicium destinées à la production de micropuces hautement intégrées et à haute densité. Le 11BF3 permet d'accroître l'efficacité et le rendement de la production, et contribue à rendre les puces plus petites et plus performantes.

Spécifications

Physical Properties:

Material 11B – Boron-11 in the form of Boron Trifluoride Electronic Grade
Enrichment 11B > 99,9 at%

Chemical Properties

Form BF3
Purity > 99,9 wt%

Impurities in vppm

Ar+O2 < 5
CO2 < 10
HF < 5
N2 < 5
SiF4 < 25
SO2 < 10
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